ITC行政法官駁回東芝狀告現(xiàn)代半導體侵權(quán)主張
2006-11-10 據(jù)報道，日前美國國際貿(mào)易委員會(ITC)行政法官拒絕了日本東芝狀告韓國現(xiàn)代半導體公司侵犯其 NAND閃存專利的主張。國際貿(mào)易委員會對這一案例進行全面評估作出了這一決定，東芝可能最終將上訴到聯(lián)邦法院。
東芝和現(xiàn)代半導體曾在1996年8月簽署了專利使用權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。在2002年12月31日該協(xié)議期滿前，兩家公司便開始就續(xù)簽協(xié)議進行談判，但最終未能就東芝專利的轉(zhuǎn)讓費問題達成共識。
2004年東芝公司分別向東京法院和美國德州法院起訴韓國現(xiàn)代半導體公司，聲稱對方在美國和日本的分公司侵犯了它的DRAM儲存芯片和 NAND閃存芯片專利。
東芝和現(xiàn)代半導體曾在1996年8月簽署了專利使用權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。在2002年12月31日該協(xié)議期滿前，兩家公司便開始就續(xù)簽協(xié)議進行談判，但最終未能就東芝專利的轉(zhuǎn)讓費問題達成共識。
2004年東芝公司分別向東京法院和美國德州法院起訴韓國現(xiàn)代半導體公司，聲稱對方在美國和日本的分公司侵犯了它的DRAM儲存芯片和 NAND閃存芯片專利。
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